正弦波\方波\正弦波逆变器设计中如何选用功率开关管?-www.loo588.com-lo588乐百家棋牌游戏-lo518乐百家在线娱乐官网

作者:工程技术小组 www.loo588.com,lo588乐百家 发布时间:2016-05-13 11:43:25 访问:563

在通用逆变器 的设计中,综合考虑性价比因素,IGBT是优先器件。因为IGBT导通压降 的非线性特性,使得IGBT的导通压降并不会随着电流的增加而显著增加,从而保证了逆变 器在最大负载情况仍然可以保持较低的损耗和较高的效率。但是对光伏逆变器而言,IGBT 的这个特性反而成为了缺点,因为逆变器效能主要和逆变器不同负载情况下的效率有关。在 轻载时,IGBT的导逋压降并不会显著下降,这反而降低了逆变器的效率。相反,MOSFET 的导通压降是线性的,在轻载情况下具有更低的导通压降,而且考虑到它非常卓越的动态特 性和高频工作能力,MOSFET成为T光伏逆变器的首选。另外考虑到提髙效能后的巨大经济 效益,最新的SiC器件也正在越来越多地被应用在光伏逆变器的设计中,采用SiC肖特基二 极管可歡显著降低开美管损耗,抑制电磁干扰。

正弦波\方波\正弦波逆变器设计中如何选用功率开关管?

 在光伏逆变器拓扑中通常包含一个升压级,将输入DC电压提升至充分高于所需峰值输 出电压水平然后通过DC/AC逆变并入电网。对于升压变换器来说,最关键的是升压二极 管的开关损耗,反向恢复电荷可能引起高损耗(这取决于功率范围,升压变换器通常使用连 续导通模式,这给二极管带来显著的应力)。用于这一功率级的MOSFET的开关损耗也很重 要,因此考虑逸择先进的超结器件(如600VSuperFETMOSFET),以减少开关和导通损耗。 在逆变器级通常使用专为软开关而优化的低速IGBI,以减小输出滤波器的体积,从而降低滤 波器的能耗。同时,由于IGBT本身具备稳更好地抵抗电网的峰值电压,许多逆 变器使用专有拓扑以进一步提升效率,增添更多的功能特性。

 DC/AC转换级通常由两个快速开关和两个用于极性选择的开关所组成,所以主要损耗表 现为传导损耗,因此功率器件需要具备非常低的正向电压降。功率MOSFET相对于IGBT的 —个优势是其不存在拐点电压(Knee Voltage),而逆变器设计需要考虑高达700V的输入电压, 系统这时会考虑采用降压变换器作为功率级。、

 对此可通过并联三个CoolMOSCP系列器件,以在600V级别上获得低于15mQ的导通电 狙,而CoolMOS900V系列产品可提供最大导通电阻为130mQ的器件。但是对于慢速开关设 备,推荐使用600V的TrenchStopIQBT。