方波\正弦波\修正波逆变器功率MOSFET工作原理解析-www.loo588.com-lo588乐百家棋牌游戏-lo518乐百家在线娱乐官网

作者:工程技术小组 www.loo588.com,lo588乐百家 发布时间:2016-05-13 11:40:28 访问:649

MOSFBT 是 金属氧化物半导体(Metal Oxide Scmiconductr.MOS)和场效 (Field EffectTramistor, FET)的合称,意为金属层 (M)的栅极隔着氧化层(O),利用电场

 的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。功率MOSFET和MOSFET元件在结构上有着显著的差异。一般集成电路里的MOSFET都是面式(planar)结构,晶体管内的各端点离芯 片表面只有几微米的距离。而功率MOSFET都是垂直式(vertical)结构,以使MOSFET可以同时适应高电压与高电流的工作作环境。一个功率MOSFET能承受的电压是杂质掺杂浓度与磊晶层(Epitaxial Layer)厚度的函数,而通过的电流则与元件的通道宽度有关,通道越宽 则通过的电流越大。对一个平面式MOSFET而言,能承受的电流及崩渍电压都与其通道的尺寸 有关。对垂直式MOSFET来说,元件的面积与能容纳的电流成正比,磊晶层厚度则与其崩 溃电压成正比。平面式功率MOSFET主要用于高级的音响放大器中,平面式功率MOSFET 在饱和区的特性比垂直式功率MOSFET更好。垂直式功率MOSFET多用于开关切换,这是 因为其导通电阻(Turn On Resistance)非常小。

 功率场效应管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅甩功率场效应管,简称功率 MOSFET (Power MOSFET)。结型功率场效应管一般称为静电感应晶体符(Static Induction Transistor, SIT)。功率MOSFET的特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要 的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

 功率MOSFET按导电沟道可分为P沟道型和N沟道型;按栅极电压幅值可分为耗尽型 和增强型;对于N (P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。

方波\正弦波\修正波逆变器功率MOSFET工作原理解析